Система обозначений полупроводниковых приборов JIS (Япония)
JIS-C-7012 — стандарт, принятый EIAJ — Electronic Industries Association of Japan (Ассоциация электронной промышленности Японии)
Система обозначений полупроводниковых приборов JIS состоит из пяти элементов:
1-й элемент (цифра) - обозначает класс полупроводниковых приборов:
- 0 - Фотодиоды, фототранзисторы;
- 1 - Диоды;
- 2 - Транзисторы;
- 3 - Четырёхслойные приборы.
2-й элемент (буква "S") - обозначает, что данный прибор полупроводниковый (от Semiconductor)
3-й элемент (буква) - обозначает подкласс полупроводниковых приборов:
- A - транзисторы p-n-p высокочастотные;
- B - транзисторы p-n-p низкочастотные;
- C - транзисторы n-p-n высокочастотные;
- D - транзисторы n-p-n низкочастотные;
- E - диоды Есаки;
- F - тиристоры;
- G - диоды Ганна;
- H - однопереходные транзисторы;
- J - полевые транзисторы с каналом p-типа;
- K - полевые транзисторы с каналом n-типа;
- M - симметричные тиристоры (триаки);
- Q - светоизлучающие диоды;
- R - выпрямительные диоды;
- S - малосигнальные диоды;
- T - лавинные диоды;
- V - диоды с переменной ёмкостью (варикапы), pin-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z - стабилитроны.
Примечание:
у фотодиодов и фототранзисторов данного (третьего) элемента в обозначении нет
4-й элемент - регистрационный номер, счёт начинается с 11
5-й элемент - усовершенствование прибора ("A" - первая модификация, "B" - вторая и т.д.)
Дополнительные индексы ("N", "M", "S") - требования специальных стандартов (промышленное, военное или космическое применение соответственно)
Примечание:
на малогабаритных корпусах очень часто два первых символа "2S" опускаются. Например, транзистор 2SC645 может маркироваться как C645.
[ Вернуться назад ]
Компоненты РЭА |
